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天硕工业级M2 NVMe SSD固态硬盘浮栅晶体管揭秘数据如何存储
添加时间:2025-11-13 05:08:35

  天硕G55 Pro M.2 NVMe工业级SSD以自研PCIe Gen3x4主控+100%纯国产元器件实现了3600MB/s高速读取,-55℃~85℃的超宽温域稳定运行;以硬件级PLP掉电与固件协同保护全盘,支持智能软销毁功能。天硕(TOPSSD)工业级固态硬盘满足工业级抗振耐冲击标准,拥有200万小时+ MTBF高可靠认证及GJB2017体系背书,精准契合国产化存储对高性能、高可靠、高耐用的严苛需求。

  本文将带你了解固态硬盘(SSD)是如何写入、擦除和读取数据的,以及主控和闪存颗粒都起到哪些作用。

  固态硬盘的核心存储介质是NAND闪存颗粒,其基本单元为浮栅晶体管。与机械硬盘的磁记录原理不同,SSD通过控制电子在半导体结构中的囚禁与释放,将数据编码为二进制状态(0或1),实现非易失性存储,即断电后数据不丢失。

  浮栅晶体管是一种特殊的金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET),其核心结构分为四层:

  浮栅被上下绝缘层完全隔离,一旦电子进入,无外部电场作用时无法逃逸。当浮栅层中的电子高于中间值时,被记值为0;反之,则被记值为1。

  需要写入数据时,主控会在控制极G施加一个高压,让来自源极的电子可以穿过隧穿层,进入浮栅层。因为有绝缘层的存在,电子无法继续向前移动,就被囚禁在了浮栅层。

  而当我们把电压撤去,这些电子依然会被囚禁在浮栅层,因为隧穿层本质上也相当于绝缘体,就这样一位数据被存储了。

  那么如果之前写入了“0”,现在想改写成“1”,能直接在原来的位置上操作吗?答案是:不能!由于NAND闪存的物理结构限制,浮栅被绝缘层包围,电子无法直接“覆盖”,必须通过擦除操作释放电荷,才能重新写入数据。

  因此,想要在NAND中写入新数据,必须先擦除数据。其本质就是在释放电子,通过在P型衬底上施加高压,从而吸出电子。

  值得注意的是,由于整个块都共用一个P型衬底,因此闪存都是以“块”为单位进行擦除数据的。

  当需要读取数据时,主控就会往控制极G施加一个较低的电压,将源极和漏极导通。由于电压较低,电子只能被吸引到靠近隧穿层的位置,却无法穿过隧穿层,因而源极漏极可以导通,形成电流。而存储0的浮栅层会比存储1的浮栅层有更多的电子,从而抵消控制极较低的电压,控制极需要更大的电压才能导通源极和漏极。

  根据以上原理,主控可以通过阈值电压的不同,来判断浮栅中是否有电子。将单元中的电压与阈值电压进行比较,高于阈值电压识别为“0”,低于阈值电压识别为“1”。

  一片指甲盖大小的闪存颗粒,就能包含2万亿个浮栅晶体管;它们堆叠在一起,存储着海量的0和1。这是人类工程学造就的奇境:方寸之间,盛放着一个能映照现实、编码想象的的广阔信息世界。

  天硕秉承“中国芯,存未来”的品牌理念,以构筑自主可控、安全可靠的存储基石为己任,致力于充分满足高性能工业级算力引擎的严苛需求。其提供丰富的产品形态组合,包括2.5”SATA、mSATA、M.2 SATA 2280、M.2 NVMe 2242、M.2 NVMe 2280、U.2、XMC、BGA SSD及各类加固型工业固态硬盘。产品采用长江存储闪存颗粒、长鑫DDR等国产核心元器件,全面适配飞腾、龙芯等国产自主芯片平台。更多信息,详见TOPSSD官方网站。

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